该工作从器件结构方面入手，规模广东采用纳米尺度的银颗粒掺杂用于改善MXeneTi3C2忆阻器的电学性能，规模广东不仅消除了传统MXene材料用于忆阻器功能层所产生的电流突变效应，在电流开关过程中获得了适用于神经突触器件的双向连续电流变化。
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英国物理学会会士，力市英国皇家化学会会士，中国微米纳米技术学会会士。场交TENG的理论基础可以追溯到麦克斯韦方程中的位移电流。
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